《半导体物理》部分

参考书目：

《半导体物理学》（第四版）刘恩科，国防工业出版社，2010年1月

一、 考试目的与要求

考察考生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决电子科学与技术相关问题的能力。要求考生对半导体物理的基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握半导体物理中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

二、 试卷结构（满分75分）

题型比例：

1．名词解释     约20分

2．简答题       约20分

3．计算题       约20分

4．分析论述题   约15分

三、考试内容与要求

（一）半导体的晶格结构和电子状态

考试内容

半导体的晶格结构和结合性质，能带，半导体中的共有化运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，硅和锗及III－V族化合物半导体的能带结构。

考试要求

1．理解半导体的共有化运动、能带、布里渊区、有效质量的基本概念。

2．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。

3．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。

（二）半导体中杂质和缺陷能级

考试内容

半导硅、锗晶体中的杂质能级、点缺陷、位错。

考试要求

1．理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。

2．理解点缺陷、位错的概念及机制。

（三）半导体中载流子的统计分布

考试内容

状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体。

考试要求

1．理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。

2．理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。

3．理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

4．理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。

5．理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。

6．理解并熟练掌握简并半导体的概念，简并半导体的载流子浓度的表示方法，简并化条件。了解禁带变窄效应。

（四）半导体的导电性

考试内容

载流子的漂移运动，迁移率，迁移率与杂质浓度和温度的关系，强电场下的效应，热载流子。

考试要求

1．理解迁移率的概念。并熟练掌握载流子的漂移运动。

2．理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系。

3．了解强电场下的效应和热载流子的概念。

（五）非平衡载流子

考试内容

非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，连续性方程式。

考试要求

1．理解非平衡载流子的注入与复合、非平衡载流子的寿命、准费米能级的概念。

2．了解复合理论，理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念。

3．理解并熟练掌握载流子的扩散运动、漂移运动。

4．理解并熟练掌握连续性方程式。

（六）p-n结

考试内容

p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应。

考试要求

1．理解并掌握p-n结及其能带图。

2．理解并掌握p-n结电流电压特性。

3．理解p-n结电容的概念、电容表达式。

4．理解雪崩击穿、隧道击穿、热击穿的概念。

5．了解p-n结隧道效应。

（七）金属和半导体的接触

考试内容

金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论。

考试要求

1．了解金属半导体接触及其能带图。

2．理解功函数、接触电势差的概念，包括公式、能带示意图。

（八）半导体表面与MIS结构

考试内容

空间电荷层及表面势，理想MIS结构的电容-电压特性，金属与半导体功函数差对MIS结构C-V特性的影响。

考试要求

1．理解表面电场效应，空间电荷层及表面势的概念。

2．理解并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系。

3．理解并熟练掌握MIS结构的电容－电压特性，并能灵活运用。

《集成电路基础》部分

参考书目：

《数字电子技术基础》（第六版） 闫石，高等教育出版社，2016年4月

《模拟电子技术基础》（第五版） 童诗白，高等教育出版社，2015年7月

一、考试目的与要求

考察学生对数字电路和模拟电路基本概念、分析及设计方法的掌握程度和用基本方法分析设计常用的数字电路与典型的模拟电路结构的能力。

二、试卷结构（满分75分）

题型比例：

1．简答题       20分

2．计算题       25分

3．设计题       30分   

三、考试内容与要求

（一）逻辑代数基础

考试内容

逻辑函数表示方法、逻辑函数化简

考试要求

1．理解逻辑函数表示方法及不同表示形式之间相互转换。

2．掌握逻辑函数卡诺图化简。

（二）组合逻辑电路

考试内容

组合电路分析与设计、常用组合逻辑电路及其内部结构。

1．掌握组合逻辑电路分析与设计方法。

2．掌握常用组合逻辑电路功能与设计方法

（三）触发器

考试内容

SR锁存器、不同触发方式的触发器、常见触发器

考试要求

1．掌握电平、主从、边沿触发器的电路结构。

2．掌握分析各种触发器时序分析。

（四）时序逻辑电路

考试内容

时序逻辑电路分析、时序逻辑电路设计

考试要求

1．理解时序逻辑电路分析方法

2．掌握时序逻辑电路设计方法

（五）基本放大电路

考试内容

放大的概念及放大电路的性能指标、单管共发射极放大电路设计与分析。

考试要求

1．了解放大的概念及放大电路的性能指标。

2．掌握单管共发射极放大电路原理，并能进行设计与分析。

（六）集成运放

考试内容

集成运放的电路结构、性能指标估算

考试要求

1．掌握差分输入级、偏置电路、输出级典型电路结构。

2．掌握一般运算放大器性能指标估算。

（七）直流电源

考试内容

直流电源电路组成结构、单相整流电路、滤波电路、硅稳压管稳压电路

考斯要求

1．了解直流电源电路结构及性能指标计算。

2．掌握单相整流电路、滤波电路、硅稳压电路的设计方法。